Revisão geral sobre eletromagnetismo

FI577 - Instrumentação eletrônica para a física

Leitura recomendada: Purcell (Caps. 1 a 4)

Eletromagnetismo

  • Interação entre cargas e correntes (cargas em movimento).
  • Carga elétrica \(Q\)
    • 2 tipos: positiva e negativa (\(Q_+\), \(Q_-\))
    • Num sistema isolado, a carga total é sempre conservada.
    • \(Q_+ + Q_- = \text{cte}\).
    • \(Q\) é um escalar (não possui informação sobre direção).

Lei de Coulomb, campo elétrico e energia

  • Interações entre cargas estáticas
  • Força sobre \(Q\) devido a \(q_1\): \(\vec{F}_{1}=k\frac{Q q_1 \hat{r}_{1,Q}}{r_{1,Q}^2}\)
  • Se há várias cargas atuando, a força total é \(\vec{F}=Q \sum_i k\frac{q_i \hat{r}_{i,Q}}{r_{i,Q}^2}\), ou \[\vec{F}=Q \vec{E}\]
  • \(\vec{E}\): Campo elétrico
  • Estamos interessados em compreender alguns aspectos de cargas e correntes voltados a circuitos. Em especial, como podemos entender de maneira simples o que acontece quando uma carga sai de um ponto \(A\) até \(B\)?

Trabalho e energia potencial

  • \(Q\) sai do ponto \(A\) e vai até \(B\) seguindo um dado caminho \(C\). Como varia sua energia potencial?
  • Trabalho \(W = \int \text{Força}\times \text{Deslocamento} = \int_C Q\vec{E} \cdot d\vec{s}\)
  • \(W = Q \int_C \vec{E} \cdot d\vec{s}\)
  • Campo \(\vec{E}\) é conservativo, logo \(W = - \Delta U\) (o trabalho indica a variação do potencial \(U\)).
  • Como \(Q\) é um escalar, podemos monitorar as variações de energia da \(Q\) ao observar as variações do potencial elétrico \[\Delta V=-\int_C \vec{E} \cdot d\vec{s}\]
  • \(V\) conforme a definição acima pode ser usado sob circunstâncias razoavelmente gerais. Vocês conseguem identificar algo que pode atrapalhar o raciocínio acima?

Fluxo de campo elétrico

  • Que porção do campo elétrico \(\vec{E}\) atravessa uma dada superfície de área \(a\)?
  • Seja \(\hat{a}\) normal a superfície, denomina-se fluxo como \[\vec{E}\cdot\vec{a}\]
  • Fluxo por uma superfície fechada: \(\Phi = \sum_{\text{todos os }j} \vec{E}_j\cdot\vec{a_j}\).
  • No limite quando as áreas tornam-se muito pequenas, \[\Phi = \int_{\text{toda a superfície}} \vec{E}\cdot\,d\vec{a}\]

Lei de Gauss

  • O fluxo \(\Phi\) não depende do formato de uma superfície fechada (Gauss)
  • Ex.: carga \(q\) dentro de uma superfície esférica
    • \(\vec{E} = \frac{1}{4\pi\epsilon_0} \frac{q\hat{r}}{r^2}\), \(d\vec{a}=4\pi r^2 dr \hat{r}\)
    • \(\Phi = \int_{\text{toda a superfície}} \vec{E}\cdot\,d\vec{a}\)
  • \[\Phi = \int \vec{E}\cdot\,d\vec{a} = \frac{\sum_j q_j}{\epsilon_0} = \frac{\int \rho dv}{\epsilon_0}\]
    • \(\rho\): Densidade de carga elétrica
    • \(dv\): elemento de volume

Placa infinita plana homogeneamente carregada

  • Qual o campo elétrico nas imediações da placa?
  • Pela simetria, \(\vec{E} = E \hat{n}\).
  • Usando a lei de Gauss para um cilindro perpendicular à superfície, e considerando \(\sigma\) uma densidade de cargas na superfície, \(\rho dv = \sigma da\), e
  • \(\Phi = \int \vec{E} d\vec{a} = \frac{\int \sigma da}{\epsilon_0}\)
  • \(= 2E a = \frac{\sigma a}{\epsilon_0}\)
  • \(E = \frac{\sigma}{2\epsilon_0}\)

Condutores e isolantes num campo eletrostático

  • O que ocorre ao inserir um material em uma região com um campo homogêneo?
  • \(\vec{F} = q \vec{E}\): cargas positivas tendem a se mover ao longo da direção de \(\vec{E}\), e negativas no sentido oposto.
  • Num isolante, o movimento das cargas é muito pequeno
  • Num condutor, as cargas podem se mover livremente. Sob que condição o movimento cessa?
    • O campo elétrico é nulo dentro de um condutor ideal.
    • As cargas livres movem-se até a superfície.

Capacitor

  • Suponha agora duas placas condutoras com cargas \(\pm Q\).
  • Qual o campo elétrico entre as placas?
    • \(E = \frac{\sigma}{\epsilon_0} = \frac{Q}{\epsilon_0 A}\)
    • \(Q = \epsilon_0 A E\)
    • Quem é a diferença de potencial \(V\)?
    • \(V = E s\); \(E = \frac{V}{s}\)
    • \(Q = \frac{\epsilon_0 A}{s} V = C V\)
    • \(C = \frac{\epsilon_0 A}{s}\) é a capacitância.

Energia armazenada num capacitor

  • Capacitor com carga \(Q=CV\). Que trabalho é necessário para levar \(dQ\) de uma placa a outra?
  • \(dW = V dQ = \frac{Q dQ}{C}\)
  • Integrando desde quando o capacitor está descarregado, \(W = \frac{1}{C} \int_{Q=0}^{Q_f} Q dQ\)
  • \(W = \frac{Q_f^2}{2C} = \frac{C V^2}{2}\).
  • Importante: um capacitor pode ser visto como um reservatório de cargas elétricas ou de energia elétrica. Este comportamento será crucial em vários circuitos relevantes.

Corrente elétrica

  • Para que os circuitos “façam algo”, precisamos das cargas em movimento.
  • Quanta carga atravessa uma dada região de área A [Fig. (a)]?
  • Imagine \(n\) cargas \(q\) de velocidade \(\vec{u}\). Num tempo \(\Delta t\), o deslocamento é \(\Delta \vec{r} = \vec{u}\Delta t\).
  • Notar que o deslocamento na direção da região de área \(A\) é dado \(u\cos\theta\), onde \(\theta\) é o ângulo entre \(\vec{u}\) e \(\vec{a}\).
  • Carga que atravessa \(A\): \((n q) \vec{a}\cdot\vec{u}\Delta t\)
  • A taxa média com que as cargas atravessam \(A\) é então
  • \(I_a = \frac{(n q) \vec{a}\cdot\vec{u}\Delta t}{\Delta t} = (n q) \vec{a}\cdot\vec{u}\)

Densidade de corrente

  • \(I_a = \frac{(n q) \vec{a}\cdot\vec{u}\Delta t}{\Delta t} = (n q) \vec{a}\cdot\vec{u}\)
  • Caso haja vários tipos de partículas que podem atravessar \(A\) (ex.: íons, elétrons, prótons…), podemos separar a contribuição anterior para cada espécie de partícula \(k\)
  • \(I_a = \vec{a} \cdot \sum_k n_k q_k \vec{u}_k\)
  • Densidade de corrente \(\vec{J}=\sum_k n_k q_k \vec{u}_k\)
  • \(J\) é especialmente importante quando se tem diversos tipos de portadores de carga (semicondutores, soluções iônicas, plasmas…), ou quando os portadores não possuem a mesma direção de propagação.

Densidade de corrente média

  • Consideremos apenas um tipo de portador (ex.: elétrons), em que os \(N\) portadores de uma dada região podem possuir várias velocidades \(\vec{u}\) distintas. A velocidade média satisfaz
  • \(N \bar{\vec{u}} = \sum_k n_k \vec{u}_k\), ou
  • \(\bar{\vec{u}} = \frac{1}{N}\sum_k n_k \vec{u}_k\)
  • Em termos de \(\bar{\vec{u}}\),
  • \[\vec{J}= q N \bar{\vec{u}}\]

Correntes estáticas e conservação da carga

  • A corrente que atravessa uma superfície \(S\) é \[I = \int_S \vec{J}\cdot d\vec{a}\]
  • Fisicamente, o que esta corrente indica se \(S\) é uma superfície fechada?
  • \(I\) indica - a variação da carga líquida armazenada em \(S\). \[\int_S \vec{J}\cdot d\vec{a} = - \frac{dQ}{dt}\]
  • A relação acima indica a conservação total da carga elétrica.

Condutividade elétrica

  • Como relacionar o movimento dos portadores de carga em um dado material com o campo elétrico em uma dada região?
  • Usualmente observa-se que vale a lei de Ohm, \[\vec{J} = \sigma \vec{E},\] onde \(\sigma\) é a condutividade do material.
    • Lei empírica, válida em muitos casos (mas nem sempre!).
    • Falha p. ex. em filamentos aquecidos.
    • Lembrar que \(\vec{J}= q N \bar{\vec{u}}\). Tipicamente, \(\bar{\vec{u}}\propto \vec{E}\).
    • Em alguns materiais \(\sigma\) pode depender também da orientação dos campos relativamente ao material. Ex.: grafeno.

Lei de Ohm em termos da tensão

  • Supor que uma corrente \(I\) atravessa um paralelepípedo de comprimento \(L\), área transversal \(A\) e condutividade \(\sigma\). Supor ainda que o campo \(\vec{E}\) é uniforme dentro do material.
    • \(J = I/A\)
    • \(E = V/L\)
    • Usando a lei de Ohm, \(J = \sigma E\), temos \[V = R I\]
      • \(R = \frac{V}{I} = \frac{L}{\sigma A}\)
      • É usual também falar em termos da resistividade \(\rho=\sigma^{-1}\), e
      • \(R = \frac{\rho L}{A}\)
  • Perceba que no modelo acima ignoramos diversos detalhes da configuração dos campos dentro do material Ôhmico.
  • Dependendo de como é o condutor que injeta a carga no material ôhmico, o campo elétrico pode ser inhomogêneo dentro do material.

Aspectos físicos da condução elétrica

  • Materiais são eletricamente neutros.
  • Os portadores de carga possuem algum tipo movimento (pois \(T\neq 0\) K), mas que na média não possui qualquer direção preferencial. Por que?
  • O que acontece quando um campo \(\vec{E}\) é aplicado?
  • A partícula carregada será acelerada na direção do campo.
  • E o que acontece após a remoção do campo \(\vec{E}\)?
  • O portador deve reduzir sua velocidade devido a colisões dentro do material.
  • Modelo simples:
  • Portador possui momento \(m \vec{u}_c\) após a última colisão.
  • Acelera devido a \(\vec{E}\) num tempo \(t\): \(\Delta \vec{p} = q \vec{E} t\)
  • Momento total após um tempo \(t\): \(m \vec{u}_c + q \vec{E} t\)
  • Se \(\vec{E}\) não é muito grande, o tempo \(\tau\) entre colisões não muda muito em relação à quando o material não possui campo aplicado.
  • Momento total de \(N\) portadores: \[ M\vec{u} = \frac{1}{N} \sum_{k} \left( M \vec{u}_c + q \vec{E} \tau \right)\]
  • Momento total de \(N\) portadores: \[ M\vec{u} = \frac{1}{N} \sum_{k} \left( M \vec{u}_c + q \vec{E} \tau \right)\]
  • Mas, como a velocidade média se anula na ausência de campo aplicado, \(M\vec{u} = q \vec{E} \tau\)
  • Ou seja, \[ \vec{u} = \frac{q \vec{E} \tau}{M} \]
  • A densidade de corrente satisfaz \[\vec{J} = q N \bar{\vec{u}} = \frac{q^2 N \tau}{M} \vec{E}\]
  • Condutividade \[\sigma = \frac{q^2 N \tau}{M}\]

Condução em metais

  • Possuem elétrons fracamente presos aos átomos
  • Íons positivos + nuvem de elétrons
  • 1+ elétrons de condução por cada átomo do material
  • \(~10^{22}\) portadores por cm\(^3\)

Condução em semicondutores

  • Ex.: Silício possui 4 elétrons de valência
  • Forma ligações covalentes bastante estáveis com vizinhos.
  • Em uma temperatura \(T=0\) K, todos os elétrons estão presos aos átomos. É um isolante ideal.
  • Energia necessária para remover 1 \(e^-\) para a banda de condução: gap 1.12 eV.

  • Se 1 \(e^-\) é promovido para a banda de condução, cria-se 2 portadores de carga efetivos:
    • O elétron, de carga - na banda de condução
    • A vacância do elétron, de carga +, na banda de valência. A vacância está associada a um movimento coletivo dos elétrons na banda de valência
  • Com o aumento da temperatura, é possível em \(T>0\) K que alguns elétrons sejam promovidos para a banda de condução.
  • Para o silício puro a temperatura ambiente, existem cerca de \(10^{10}\) elétrons e vacâncias de condução. É praticamente um isolante, se comparado a um metal típico.

Dopagem de semicondutores

  • Portadores podem ser gerados por aquecimento, mas também pela introdução de impurezas.
  • Suponha que \(10^{15}\) átomos/cm\(^3\) de Si são substituidos por fósforo (P), que possui 5 elétrons de valência.
  • “Sobra” 1 elétron do fósforo, que não participará de ligações químicas.
  • Neste processo, tem-se a geração de um íon positivo (P) e um elétron que pode se locomover no material.
  • Tem-se agora cerca de \(10^{15}\) portadores de carga negativa/cm\(^3\)
  • Dopagem tipo ‘N’

Dopagem de semicondutores

  • Pode-se fazer o mesmo procedimento com outros dopantes.
  • Ex.: Al possui 3 elétrons na banda de valência. O Al vai remover 1 elétron dos átomos vizinhos devido às 4 ligações, o que cria uma vacância na banda de valência.
  • Dopagem tipo ‘P’

Circuitos e elementos de circuitos

  • O que tem dentro da caixa?